STP150N3LLH6参数:MOSFET N-CH 30V 80A TO220
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:50系列:STripFET™包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.3 毫欧 @ 40A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):40nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4040pF @ 25V功率 - 最大值:110W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220AB