STP19NM50N参数：MOSFET N-CH 500V 14A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STP19NM50NViewAllSpecifications标准包装：50系列：MDmesh™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：14A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：250毫欧@7A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：34nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1000pF@50V功率-最大值：110W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB
