STP200NF04L参数:MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
类别:分立半导体产品-FET - 单其它有关文件: STP200NF04LViewAllSpecifications标准包装:50系列:STripFET™包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):40V电流-连续漏极(Id)(25°C时):120A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):3.8毫欧@50A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):90nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):6400pF@25V功率-最大值:300W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220AB