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STP21NM60

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STP21NM60N 优势库存
ST
TO-220
2023+
3000
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STP21NM60ND
STMicroelectro..
TO-220
2023+
500
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STP21NM60N
ST
TO-220
2023+
10557
原装现货价格优势
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STP21NM60N
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TO-220-3()
2023+
1
品质保证,价格优惠
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STP21NM60ND
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TO-220-3()
2023+
186
品质保证,价格优惠
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TO-220-3
2023+
4946
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STP21NM60N
STMicroelectro..
TO-220-3
2023+
5605
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STP21NM60ND
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TO-220
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STP21NM60
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TO-220F
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1598
工厂配单，价格优势
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相关型号： STP21NM50N STP21N90K5 STP21N65M5 STP210N75F6 STP20NM65N STP20NM60FP

STP21NM60N
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STP21NM60N参数：MOSFET N-CH 600V 17A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：MDmesh™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：17A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：220 毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：66nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1900pF @ 50V
功率 - 最大值：140W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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