STP23NM60ND参数：MOSFET N-CH 600V 19.5A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STP23NM60NDViewAllSpecifications标准包装：50系列：FDmesh™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：19.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：180毫欧@10A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：69nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2100pF@50V功率-最大值：150W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB
