STP24N60M2参数:MOSFET N CH 600V 18A TO-220
类别:分立半导体产品-FET - 单其它有关文件: STP24N60M2ViewAllSpecifications标准包装:1,000系列:MdmeshIIPlus?包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):600V电流-连续漏极(Id)(25°C时):18A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):190毫欧@9A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):29nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):1060pF@100V功率-最大值:150W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220