STP25N80K5参数：MOSFET N CH 800V 19.5A TO220
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STP25N80K5ViewAllSpecifications标准包装：50系列：SuperMESH5™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：800V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：19.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：260毫欧@19.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：40nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1600pF@100V功率-最大值：250W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220
