STP3NK100Z参数:MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO-220
类别:分立半导体产品-FET - 单其它有关文件: STP3NK100ZViewAllSpecifications标准包装:50系列:SuperMESH™包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):1000V(1kV)电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):6欧姆@1.25A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4.5V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):18nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):601pF@25V功率-最大值:90W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220AB