STP4NK60Z参数:MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
类别:分立半导体产品-FET - 单其它有关文件: STP4NK60ZViewAllSpecifications标准包装:50系列:SuperMESH™包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):600V电流-连续漏极(Id)(25°C时):4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):2欧姆@2A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4.5V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):26nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):510pF@25V功率-最大值:70W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220AB工具箱:497-8004-KIT-ND-KITMOSFETTHRUHOLE9VAL5EA