STP4NK80Z参数:MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
类别:分立半导体产品-FET - 单其它有关文件: STP4NK80ZViewAllSpecifications标准包装:50系列:SuperMESH™包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):800V电流-连续漏极(Id)(25°C时):3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):3.5欧姆@1.5A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4.5V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):22.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):575pF@25V功率-最大值:80W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220AB