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STP50NE10

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STP50NE10 优势库存
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TO-220
2023+
4650
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STP50NE10
STMicroelectro..
TO-220
2023+
500
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STP50NE10L
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TO-220
2023+
22557
原装现货价格优势
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STP50NE10
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TO220
2023+
10557
全新进口原装现货,特价热卖
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STP50NE10LTO220
TO220
2023+
7
品质保证,价格优惠
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STP50NE10L
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TO-220
2023+
35000
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STP50NE10
STMicroelectro..
TO-220-3()
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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STP50NE10
STMicroelectro..
TO-220-3
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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STP50NE10FP
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TO-220
2023+
6278
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STP50NE10LTO220
TO220
2023+
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工厂配单，价格优势
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相关型号： STP50NE08 STP4NK80ZFP STP4NK80Z STP4NK60ZFP STP4NK60Z STP4NK50ZFP

STP50NE10
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STP50NE10参数：MOSFET N-CH 100V 50A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：STripFET™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：50A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：27 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：166nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6000pF @ 25V
功率 - 最大值：180W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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