STP5N62K3参数：MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220AB
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STP5N62K3ViewAllSpecifications标准包装：50系列：SuperMESH3™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：620V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.6欧姆@2.1A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：26nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：680pF@50V功率-最大值：70W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB
