STP6NA60F1

STP6N120K3
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STP6N120K3参数：MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STP6N120K3ViewAllSpecifications
标准包装：50
系列：SuperMESH3™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：1200V（1.2kV）
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.4欧姆@2.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：34nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1050pF@100V
功率-最大值：150W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3整包
供应商器件封装：TO-220
工具箱：497-8014-KIT-ND-KITWIDEINPUTMOSFET12VALUES