STP7N80K5参数:MOSF N CH 800V 6A TO220
类别:分立半导体产品-FET - 单其它有关文件: STP7N80K5ViewAllSpecifications标准包装:50系列:SuperMESH5™包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):800V电流-连续漏极(Id)(25°C时):6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):1.2欧姆@3A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):5V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):13.4nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):360pF@100V功率-最大值:110W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220