STP8NM50N参数:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
类别:分立半导体产品-FET - 单其它有关文件: STP8NM50NViewAllSpecifications标准包装:50系列:MDmesh™包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):500V电流-连续漏极(Id)(25°C时):5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):790毫欧@2.5A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):14nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):364pF@50V功率-最大值:45W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220AB