STQ-2016

STQ1HN60K3-AP
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STQ1HN60K3-AP参数：MOSFET N CH 600V 400MA TO-92

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,000
系列：SuperMESH3™
包装：带盒（TB）
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：400mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8 欧姆 @ 600mA， 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：140pF @ 50V
功率 - 最大值：3W
安装类型：通孔
封装：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：TO-92