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STS100

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STS100 优势库存
SSOUSA
SOP16
2023+
880
全新原厂原装现货
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STS1005S2V5-TR
XP Power
10-SMD 模块，6 ..
2023+
500
全新原装现货质量保证
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STS1005S2V5
XP Power
10-SMD 模块，6 ..
2023+
528
全新原装现货质量保证
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STS1005S1V8-TR
XP Power
10-SMD 模块，6 ..
2023+
500
全新原装现货质量保证
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STS1005S1V8
XP Power
10-SMD 模块，6 ..
2023+
500
全新原装现货质量保证
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STS1005S1V5-TR
XP Power
10-SMD 模块，6 ..
2023+
500
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STS1005S1V5
XP Power
10-SMD 模块，6 ..
2023+
504
全新原装现货质量保证
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STS1005S1V2-TR
XP Power
10-SMD 模块，6 ..
2023+
500
全新原装现货质量保证
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STS1005S1V2
XP Power
10-SMD 模块，6 ..
2023+
506
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STS100
SSOUSA
SOP16
2023+
300
品质保证,价格优惠
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STS100
SSOUSA
SOIC16
2023+
1280
全新进口原装现货,保证质量
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电话：0755-83217923
联系人：李先生
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相关型号： STS05DTP03 STS01DTP06 STS STR-Y6766 STR-Y6765 STR-Y6763

STS10DN3LH5
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STS10DN3LH5参数：MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
其它有关文件： STS10DN3LH5ViewAllSpecifications
标准包装：2,500
系列：STripFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：21毫欧@5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4.6nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：475pF@25V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO

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