STS1DN45K3参数：MOSFET N-CH 450V 0.5A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列其它有关文件： STS1DN45K3ViewAllSpecifications标准包装：2,500系列：SuperMESH3™包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：450V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：500mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.8欧姆@500mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：150pF@25V功率-最大值：1.3W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
