STS1DNC45

STS1DNC45
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STS1DNC45参数：MOSFET N-CHAN 450V 0.4A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
其它有关文件： STS1DNC45ViewAllSpecifications
标准包装：2,500
系列：SuperMESH™
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：450V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：400mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.5欧姆@500mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.7V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：160pF@25V
功率-最大值：1.6W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO