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STS4DNF60L

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相关型号： STS4DNF60 STS4DNF30L STS4C3F60L STS3P6F6 STS3DPF60L STS3DNE60L

STS4DNF60L
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STS4DNF60L参数：MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
其它有关文件： STS4DNF60LViewAllSpecifications
标准包装：2,500
系列：STripFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：55毫欧@2A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1030pF@25V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO

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