STS6NF20V参数：MOSFET N-CH 20V 6A 8SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STS6NF20VViewAllSpecifications标准包装：2,500系列：STripFET™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，2.5V驱动漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：40毫欧@3A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：600mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11.5nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：460pF@15V功率-最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
