STS8C5H30L参数：MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列其它有关文件： STS8C5H30LViewAllSpecifications标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8A，5.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：22毫欧@4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：857pF@25V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
