STS8DN3LLH5参数：MOSFET 2N-CH 30V 10A SO8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列其它有关文件： STS8DN3LLH5ViewAllSpecifications标准包装：2,500系列：STripFET™包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：19毫欧@5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：5.4nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：724pF@25V功率-最大值：2.7W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
