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STS8DNH3LL

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相关型号： STS8DNF3LL STS8DN3LLH5 STS8C5H30L STS7PF30L STS7NF60L STS7C4F30L

STS8DNH3LL
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STS8DNH3LL参数：MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：2,500
系列：STripFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：22毫欧@4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：857pF@25V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO
配用：497-8213-ND-BOARDEVALST7FMC2S4T6/STS8DNH3L

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