STT5N2VH5参数：MOSFET N CH 20V 5A SOT23-6
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：STripFET™ V包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 2A， 4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：*不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：550pF @ 16V功率 - 最大值：1.6W安装类型：表面贴装封装：SOT-23-6供应商器件封装：SOT-23-6
