STU10NM65N参数：MOSFET N-CH 650V 9A IPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：75系列：MDmesh™包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：650V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：480 毫欧 @ 4.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：850pF @ 50V功率 - 最大值：90W安装类型：通孔封装：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB供应商器件封装：I-Pak
