STU6N65K3参数：MOSF N CH 650V 5.4A IPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STU6N65K3ViewAllSpecifications标准包装：75系列：SuperMESH3™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：650V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.3欧姆@2.7A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：33nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：880pF@50V功率-最大值：110W安装类型：通孔封装：TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA供应商器件封装：I-Pak
