STV160NF03LAT4参数:MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:600系列:STripFET™包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):160A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 80A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):160nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5350pF @ 25V功率 - 最大值:210W安装类型:表面贴装封装:PowerSO-10 裸露底部焊盘供应商器件封装:PowerSO-10