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STV2116

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STV2116A-1MIL 优势库存
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STV2116A 优势库存
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STV2116A
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STV2116A-1MIL
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DIP42
2023+
98
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STV2116A
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2023+
281
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STV2116-5B
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STV2116-2E
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STV2116
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779
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STV2116A-1M1L
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STV21164
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STV2116A-2D1T
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STV2116A-2D
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STV2116A-1MIL
ST
全新原装现货
2023+
2600
相关型号： STV2050A STV200N55F3 STV160NF03LT4 STV160NF03LAT4 STV160NF02LT4 STV160NF02LAT4

STV200N55F3
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STV200N55F3参数：MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10

类别：分立半导体产品-FET - 单
特色产品： MosfetsinPowerSO-10Package
标准包装：600
系列：STripFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：200A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.5毫欧@75A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：100nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：6800pF@25V
功率-最大值：300W
安装类型：表面贴装
封装：PowerSO-10裸露底部焊盘
供应商器件封装：PowerSO-10

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