STV2162B

STV200N55F3
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STV200N55F3参数：MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10

类别：分立半导体产品-FET - 单
特色产品： MosfetsinPowerSO-10Package
标准包装：600
系列：STripFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：200A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.5毫欧@75A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：100nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：6800pF@25V
功率-最大值：300W
安装类型：表面贴装
封装：PowerSO-10裸露底部焊盘
供应商器件封装：PowerSO-10