STV200N55F3参数：MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： MosfetsinPowerSO-10Package标准包装：600系列：STripFET™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：200A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.5毫欧@75A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：100nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：6800pF@25V功率-最大值：300W安装类型：表面贴装封装：PowerSO-10裸露底部焊盘供应商器件封装：PowerSO-10
