STW60N10

STW60N65M5
PDF资料下载

STW60N65M5参数：MOSFET N-CH 650V 46A TO-247

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STW60N65M5ViewAllSpecifications
标准包装：30
系列：MDmesh™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：46A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：59毫欧@23A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：139nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：6810pF@100V
功率-最大值：255W
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247