STW60NM50N参数：MOSFET N CH 500V 68A TO-247
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STW60NM50NViewAllSpecifications标准包装：30系列：Mdmesh™II包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：68A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：43毫欧@34A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：178nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：5790pF@100V功率-最大值：446W安装类型：通孔封装：TO-247-3供应商器件封装：TO-247
