STY150

STY100NM60N
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STY100NM60N参数：MOSFET N CH 600V 98A MAX247

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STY100NM60NViewAllSpecifications
标准包装：30
系列：Mdmesh™II
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：98A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：29毫欧@49A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：330nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：9600pF@50V
功率-最大值：625W
安装类型：通孔
封装：MAX247?
供应商器件封装：MAX-247