STY100NM60N参数：MOSFET N CH 600V 98A MAX247
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STY100NM60NViewAllSpecifications标准包装：30系列：Mdmesh™II包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：98A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：29毫欧@49A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：330nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：9600pF@50V功率-最大值：625W安装类型：通孔封装：MAX247?供应商器件封装：MAX-247
