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SUD50N02-09P

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SUD50N02-09P 优势库存
SILICONIX
SOT-252
2023+
5256
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SUD50N02-09P-GE3
Vishay Silicon..
TO-252
2023+
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全新原装进口现货品质保证
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2023+
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SUD50N02-09P
VISHAY
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全新进口原装现货,特价热卖
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SUD50N02-09P-E3
VISHAY
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7533
全新进口原装现货,保证质量
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SUD50N02-09P
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1900
品质保证,价格优惠
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SUD50N02-09P-E3
Vishay/Silicon..
TO-252-3,DPa..
2023+
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全新进口原装现货品质保证
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相关型号： SUD50N02-06P-E3 SUD50N02-06-E3 SUD50N02-04P-E3 SUD45P03-15-E3 SUD45P03-10-E3 SUD45P03-09-GE3

SUD50N02-09P-E3
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SUD50N02-09P-E3参数：MOSFET N-CH D-S 20V DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：9.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1300pF @ 10V
功率 - 最大值：6.5W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

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