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SUP60N06

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SUP60N06-12P-E3
Vishay Silicon..
TO-220AB
2023+
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SUP60N06-18
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SUP60N06
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SUP60N06-18
VISHAY
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SUP60N06-12P-GE3
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SUP60N06-18
VISHAY
库房现货原装进口
2023+
5600
相关型号： SUP60N02-4M5P-E3 SUP57N20-33-E3 SUP53P06-20-E3 SUP50N03-5M1P-GE3 SUP45N03-13L-E3 SUP40P10-43-GE3

SUP60N06-12P-E3
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SUP60N06-12P-E3参数：MOSFET N-CH D-S 60V TO220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：500
系列：TrenchFET®
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：60A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：55nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1970pF @ 30V
功率 - 最大值：3.25W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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