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SUP75N08

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SUP75N08 优势库存
雷达
2023+
3200
原装现货质量保证
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SUP75N08-10
TO-220
2023+
160
全新原装现货,特价热卖
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SUP75N08
SILICONIX
TO-220
2023+
216
全新进口原装现货,特价热卖
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SUP75N08-09L
VISHAY
TO-220
2023+
13146
全新进口原装现货,保证质量
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SUP75N08-10
VISHAY
TO-220
2023+
24260
品质保证,价格优惠
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SUP75N08
FAIRCHILB
TO-220AB
2023+
5000
品质保证,价格优惠
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SUP75N08-09L
VISHAY
TO-220
2023+
24260
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SUP75N08-09L
VISHAY
库房现货原装进口
2023+
5600
SUP75N08-10
VISHAY
库房现货原装进口
2023+
5600
SUP75N08-10
VISHAY
TO-220
2023+
13520
原装现货
SUP75N08
NS
TO-220
2023+
13520
原装现货
相关型号： SUP75N03-04-E3 SUP70N03-09BP-E3 SUP65P04-15-E3 SUP60N10-18P-E3 SUP60N10-16L-E3 SUP60N06-12P-GE3

SUP75N03-04-E3
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SUP75N03-04-E3参数：MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：500
系列：TrenchFET®
包装：散装
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：75A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：250nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：10742pF @ 25V
功率 - 最大值：3.7W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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