TF256TH-3-TL-H参数:IC JFET N-CH 20V 1MA VTFP
类别:分立半导体产品-JFET(结点场效应标准包装:8,000系列:-包装:带卷 (TR)不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):100µA @ 2V漏源极电压 (Vdss):-漏极电流 (Id) - 最大值:1mAFET 类型:N 沟道电压 - 击穿 (V(BR)GSS):-不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):100mV @ 1µA不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3.1pF @ 2V电阻 - RDS(开):-安装类型:表面贴装封装:3-SMD,扁平引线供应商器件封装:VTFP功率 - 最大值:100mW