TK4A60D(STA4,Q,M)参数：MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： TO-220SISSide3 TO-220SISSide2 TO-220SISSide1标准包装：50系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.7欧姆@2A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.4V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：600pF@25V功率-最大值：35W安装类型：通孔封装：TO-220-3整包供应商器件封装：TO-220SIS
