TK50P03M1(T6RSS-Q)参数：MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： SC-64 SC-64Side标准包装：2,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：50A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7.5毫欧@25A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.3V@200µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：25.3nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1700pF@10V功率-最大值：60W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：DP
