TK8A65D(STA4,Q,M)参数：MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： TO-220SISSide3 TO-220SISSide2 TO-220SISSide1标准包装：50系列：-包装：散装FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：650V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：840毫欧@4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：25nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1350pF@25V功率-最大值：45W安装类型：通孔封装：TO-220-3整包供应商器件封装：TO-220SIS