TPC8062-H,LQ(CM参数：MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：18A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.8 毫欧 @ 9A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 300µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：34nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2900pF @ 10V功率 - 最大值：-安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装：8-SOP
