TPC8114(TE12L,Q,M)参数：MOSFET P-CH 30V 18A 8SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： TCP8SeriesTop TCP8SeriesEnd标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：18A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.5毫欧@9A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：180nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：7480pF@10V功率-最大值：-安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.173"，4.40mm宽）供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）