TPC8115(TE12L,Q,M)参数:MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 5A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 200µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):115nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9130pF @ 10V功率 - 最大值:-安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)供应商器件封装:8-SOP(5.5x6.0)