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TPC8203

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TPC8203-T2LIBM 优势库存
TOS
SOP8
2023+
5595
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TPC8203 优势库存
TOSHIBA
SOP
2023+
933
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TPC8203
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2023+
4167
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TPC8203TE12L
TOSHIBA
SOP
2023+
32557
全新原装现货,特价热卖
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TPC8203-TE12L
TOSHIBA
SOP-8
2023+
390
品质保证,价格优惠
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TPC8203
TOSHIBA
SOP8
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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TPC8203(TE12L)
TOS
SOP
2023+
4204
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TPC8203(T2LIBM1
TOSHIBA
SO8
2023+
28553
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TPC8203-TEPL
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SOP8
2023+
1658
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TPC8203-T2LIBM
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SOP8
2023+
3921
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TPC8203/T2LIBM
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SOP8
2023+
3521
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TPC8203.
TOS
SOP
2023+
6108
工厂配单，价格优势
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TPC8203(TE12LQ)
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SOP
2023+
4128
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TPC8203
TOSHIBA
全新原装现货
2023+
4500
TPC8203
TOS
SOP
2023+
1438
原装进口.现货库存
TPC8203
TOSHIBA
2023+
2536
￥8现货库存
相关型号： TPC8134,LQ(S TPC8133,LQ(S TPC8132,LQ(S TPC8129,LQ(S TPC8128(TE12L,Q,M) TPC8127,LQ(M

TPC8207(TE12L)
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TPC8207(TE12L)参数：MOSFET N-CH 20V 6A 8-SOP

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品目录绘图： TCP8SeriesTop TCP8SeriesEnd
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@4.8A，4V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@200µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：22nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2010pF@10V
功率-最大值：750mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.173"，4.40mm宽）
供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）

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