TPC8213-H(TE12LQ,M参数：MOSFET N-CH DUAL 60V 5A SOP8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：50 毫欧 @ 2.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：625pF @ 10V功率 - 最大值：750mW安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）
