TPC8216-H(TE12L,Q)参数：MOSFET N-CH DUAL 30V 6.4A 8SOP
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.4A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：-不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 100µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：-安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）
