TPC8210(TE12L,Q,M)参数：MOSFET N-CH DUAL 30V 8A SOP-8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品目录绘图： TCP8SeriesTop TCP8SeriesEnd标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：15毫欧@4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：75nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3530pF@10V功率-最大值：750mW安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.173"，4.40mm宽）供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）