TPC8403(TE12L,Q)参数：MOSFET N/P-CH 30V 8-SOP
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：N 和 P 沟道FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6A，4.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：33 毫欧 @ 3A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：850pF @ 10V功率 - 最大值：750mW安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）
